|
Исследователи компании AMD сообщили на текущей неделе о технологическом прорыве в разработке транзисторов нового поколения. Ученые заявили о сздании транзистора, который на 30% быстрее лучших из доступных сегодня разработок. Известно, что разработка связанна с используемой компанией технологией Fully Depleted Silicon-on-Insulator (полностью обедненного кремния на изоляторе – FD-SOI). В сопутствующих исследованиях AMD также смогла продемонстрировать транзисторы, сознанные по технологии "strained silicon" ("растянутый кремний"), которые на 20-25% быстрее современных образцов.
Конкретные результаты исследований компания представит 11 июня на конференции VLSI Symposium.
Источник:
Читайте новости рынка в нашем мобильном приложении 
Перейти к ленте новостей рынка металлов
|
Телеграм-канал